进入2025年以来，全职业呈现SiC碳化硅MOSFET价格开端低于传统IGBT的现象，比职业认知提早十几年见证功率半导体前史拐点：SiC碳化硅MOSFET价格开端低于IGBT！首要源于技能打破、产能扩张与商场需求的一起效果。以下从原因和影响两方面打开剖析：

　　- 我国本乡SiC产业链在2024年迎来产能会集开释期，多家企业完结6英寸和8英寸晶圆产线万片，全球有用产能同步增长至300万片。

　　- 8英寸晶圆量产加快，单位芯片本钱显着下降。例如，6英寸外延片价格在2024年下半年暴降60.47%，推进全体本钱下降。

　　- 我国SiC厂商经过方针支撑和规模化出产快速削减相关本钱，打破世界厂商独占。2025年国产SiC芯片价格估计较全球均价低约30%，并经过价格战抢占商场份额。

　　- 供需格式反转：2025年全球SiC衬底需求量约250万-300万片，而有用产能达657万片，供过于求加重价格竞赛。

　　- SiC MOSFET技能逐步老练，良率进步。例如，沟道迁移率进步和栅氧化层可靠性增强，下降了研制与出产本钱。

　　- 使用端本钱优势闪现：SiC器材的高频、低损耗特性削减外围元件（如散热器和电感）需求，体系全体本钱下降。2024年上半年，选用SiC的电动轿车本钱已下降15%-20%。

　　- 我国车企认证本乡供货商，下降进口依靠。估计2025年末国产SiC芯片在电动轿车商场浸透率将明显进步。

　　- SiC MOSFET在导通损耗、开关频率和高温性能上优于IGBT，价格低于IGBT后，其在新动力轿车、光伏逆变器等高频高功率场景的代替速度加快。

　　- 例如，SiC MOSFET的开关损耗仅为IGBT的1/4，且无电流拖尾现象，体系功率进步明显。

　　- 价格战导致职业毛利率骤降，部分企业6英寸外延片毛利率从55%跌至5.7%，职业进入出清阶段，估计2025年中期将迎来整合潮。

　　- 世界厂商如Wolfspeed因本钱压力调整战略，而我国本乡企业凭仗本钱优势加快抢占商场份额。

　　- SiC价格下降使中低端车型选用碳化硅成为或许。例如，2025年SiC器材本钱估计与IGBT适当，推进电动轿车续航进步和价格下探。

　　- 氮化镓（GaN）等其他宽禁带半导体技能或许因SiC价格下降面对差异化竞赛。

　　SiC MOSFET价格低于IGBT的拐点，标志着第三代半导体技能从高端商场向大众化使用的跨过。这一革新由产能扩张、本乡化竞赛和技能打破一起驱动，其影响不只限于功率半导体职业，更将重塑新动力轿车、动力基础设施等范畴的格式。未来，跟着8英寸晶圆遍及和产业链整合完结，SiC有望成为电力电子范畴的“新常态”，而IGBT则需在特定场景中寻求差异化生存空间。回来搜狐，检查更加多